等離子蝕刻機工藝說明

等離子蝕（shí）刻機蝕刻加工可（kě）分為兩個全過程：，等離子裏的有機化學活性組分，這（zhè）種活性組分與（yǔ）液體原材（cái）料化學物質發生反應，形成揮發物化學物質，同時向表麵（miàn）擴散、排出來。以CF4為例子，其電離度物F與S反應生（shēng）成SiF4汽體，在含Si原材料（liào）的表麵形成微切削（xuē）構造。等離子蝕刻加工就是指正離子蝕刻（kè）加工、磁控濺射蝕刻加工和等離子灰化等過程。
等離子蝕刻機改性材料深度在於（yú）底材環境溫度、等待時間各種（zhǒng）材（cái）料蔓延特點，而改性材料的種類在於底材和工藝指標。等離子（zǐ）隻有在表麵上蝕刻（kè）加工好多個（gè）μm深，其表（biǎo）麵特性出現了改（gǎi）變，但大部分原材料表麵特性仍然能夠維（wéi）持（chí）。該方法還可用於（yú）表層清理、幹（gàn）固、鈍化處（chù）理、更改吸水性和黏附性等，一樣可用於半導體集（jí）成（chéng）電路的製造過（guò）程中，還可（kě）以在光學顯微（wēi）鏡下注（zhù）意到試品變軟。化學變化能通過有機化學磁控濺射造成揮發物物質。常見氣體包含Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機化學蒸汽等。可塑性無機化合物磁控濺射比具備化學變化的等離子磁控濺射更貼近物理現象。
在蝕刻中（zhōng），密度高的等離子源具備很多特點，能夠更準（zhǔn）確地操縱產品工件規格，蝕刻加工率更高，原材料可選擇性更（gèng）強。多層的等離子（zǐ）源能在低壓下運（yùn）行，因此能變弱鞘（qiào）層震蕩。在芯片的蝕刻加工環節（jiē）中，選用高密度的等離子源蝕刻技術，必（bì）須運用單獨的微波射頻源對（duì）圓晶開展（zhǎn）閾值電壓，使能（néng）量和正離子互不相關。因為離子的動能一般在幾個電子伏數量級，因此當（dāng）正離子進到負鞘層後，根據動能加快會達到幾百電子伏，而且具有較高的導向（xiàng）性，從而（ér）使得正離子蝕（shí）刻加工（gōng）具備各種各樣。