蝕刻機與光刻機的區別在於:光刻機會將圖案印製到材料上,然後蝕刻機(jī)根據這個圖案去除相應區域(無論是有(yǒu)圖案的(de)還是沒有圖案(àn)的部分),保留其它部分。與光刻相比,蝕(shí)刻操作相對簡單。可以把在矽晶體上(shàng)進行加工比作木匠(jiàng)的工作:光刻機相(xiàng)當於木匠在木材上用(yòng)墨鬥劃線,而蝕刻機則像木匠使用鋸子、鑿子、斧頭和刨子等工具來進行加(jiā)工(gōng)。雖然(rán)蝕刻機和光刻機在性質上是類似的,但對精度的要求卻差異很大。木(mù)匠的精細工作通常隻需達到毫米級別,而用於芯片製造的蝕刻機和光刻(kè)機則必須達到納米級別。比如,現在的手機芯片采用的是台積(jī)電的10納米(mǐ)技術。10納米有多小呢?假設將(jiāng)一根直徑為0.05毫米的頭發絲平均分成5000段(duàn),那麽每一段的厚(hòu)度大致就是10納米。
光刻機,也稱為掩模對準曝光機、曝光係統或光刻係統(tǒng),是一種重要的設備。一般的光刻工藝包括以下步驟:清洗和烘幹矽片表麵、塗覆底層、旋塗光刻膠、進行軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘以及刻蝕等過程。
光刻是指利用光線製作圖形的(de)工藝。首先在矽片(piàn)表麵均勻(yún)塗(tú)布光刻膠,然後將掩模上的圖形(xíng)通過光線(xiàn)轉印到光刻膠(jiāo)上,這一過程相當(dāng)於將(jiāng)器件或電路結構暫時“複製”到矽片上。