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開始(shǐ)的蝕刻技術性(xìng)是運用特殊的水溶液與塑料(liào)薄膜間所開展的化學變化(huà)來除去塑料薄膜未(wèi)被光阻遮蓋的一部分,而做到蝕刻的目地,這類(lèi)蝕刻方法也就(jiù)是五金蝕(shí)刻設備廠家說白了的濕試蝕刻。由(yóu)於濕試蝕刻是運用化學變(biàn)化來開展塑料薄膜(mó)的除去,而化學變化(huà)自身沒有專一性,因而濕試蝕刻全(quán)過程為等抗逆性,一般(bān)而言此方法不能界定3μm下列的圖形界(jiè)限,但針對3μm之上的圖形界限界定濕試蝕刻依然為一可挑選選用的技術性。
濕試蝕刻往往在微電子技術製作過程中被普遍的選用乃因為其具備降低成本、很高的可靠(kào)性、增產能及優異的蝕刻挑選比等優勢。但相對性於幹試蝕(shí)刻,除開無法定義偏細(xì)的圖形界限外,濕試蝕刻仍有下列的缺陷:
1)需花銷較高成本費的反映水(shuǐ)溶液及雙蒸水;
2)化學品解決時工作(zuò)人員所遭受的安全隱患;
3)光阻粘合力(lì)難題;
4)汽泡產(chǎn)生及有機化學蝕刻液沒法徹底與圓晶(jīng)表層觸碰所導致的不徹底及不勻稱的蝕刻;
5)有機廢氣及潛在性的可燃性。
濕試蝕刻(kè)全過(guò)程可分成三個流程:
1)有機化學(xué)蝕刻液外擴(kuò)散至待蝕(shí)刻原材料之(zhī)表層(céng);
2)蝕刻液與待蝕刻原材料產生化學變化;
3)反(fǎn)映後之物質從(cóng)蝕刻原材料之表層(céng)外擴散(sàn)至(zhì)水溶液(yè)中,並(bìng)隨水溶液排出來(3)。三個(gè)流程中(zhōng)開(kāi)展比較慢者為速度操縱流程,換句話說該流程的化學反應(yīng)速(sù)率即是全部反(fǎn)映之速度。
五(wǔ)金蝕刻設備廠家強調(diào)絕大部分的蝕刻全過程包括了一個或好幾個化學變化(huà)流程(chéng),各種各樣形狀的反映都是有很有可能產生,但常碰到的反映是將待蝕(shí)刻層表(biǎo)層先(xiān)給予空氣氧化,再(zài)將此空氣氧化層(céng)融解,並隨(suí)水溶液排出來,這般不(bú)斷開展以做到(dào)蝕刻的實際效果。如蝕刻矽、鋁時(shí)就(jiù)是運用此類化學變化方法。


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